S7-200 程序指令写入 EEPROM
我给你最简单、最安全、可直接复制使用的写法，不用理解复杂原理，照着做就能永久保存数据。
一、核心原理（一句话）
用 SMB31 + SMW32 两个特殊寄存器，触发把 V 区数据写到 EEPROM，断电永远不丢。
SMW32：要保存的 V 区地址
SMB31：触发写入 + 指定数据长度
二、支持写入的数据长度
1 字节（VB）
2 字节（VW）
4 字节（VD）
三、最常用程序
示例 1：写入 1 字节（VB100 → EEPROM）
plaintext
// 触发条件：比如 I0.0 接通时写入 LD I0.0 EU // 上升沿，只触发一次 MOVW &VB100, SMW32 // 要保存的 V 区地址：VB100 MOVB 16#80, SMB31 // 写入使能 + 1 字节
示例 2：写入 2 字节（VW200 → EEPROM）
plaintext
LD I0.1 EU MOVW &VW200, SMW32 MOVB 16#81, SMB31 // 2 字节
示例 3：写入 4 字节（VD300 → EEPROM）
plaintext
LD I0.2 EU MOVD &VD300, SMW32 MOVB 16#83, SMB31 // 4 字节
四、参数速查
表格
| 数据长度 | SMB31 赋值 |
|---|---|
| 1 字节（VB） | 16#80 |
| 2 字节（VW） | 16#81 |
| 4 字节（VD） | 16#83 |
五、最安全的工程写法
功能：
用 上升沿触发，不会反复写
保护 EEPROM 寿命（10 万次以上）
保存 VD1000（4 字节累计值 / 配方值）
plaintext
// 掉电保存：VD1000 → EEPROM LD M0.0 // 保存触发信号 EU // 上升沿，只触发1次 MOVD &VD1000, SMW32 // 要保存的 V 区地址 MOVB 16#83, SMB31 // 4 字节写入 EEPROM
六、关键注意事项
必须用上升沿 EU 触发不能直接 SM0.0 一直写，会烧坏 EEPROM。
写入一次需要 15~20ms
每次只能写 1/2/4 字节要写多个数据就分多次触发。
上电时，CPU 自动从 EEPROM 恢复到 V 区不用写读取程序。
寿命：至少 10 万次写入工程上足够用。
七、你只需要告诉我 2 个信息
我可以直接给你写完整工程代码：
你要保存的地址：VB? / VW? / VD?
用哪个信号触发保存（比如 I0.0、M0.0、定时保存）
总结
用 SMW32 指定 V 地址，SMB31 触发写入
1/2/4 字节分别用 16#80 / 81 / 83
必须加上升沿 EU，保护 EEPROM
程序写入后，永久掉电保持。
